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华为出手第三代半导体材料性能实现千倍提升;
更新时间:2019-11-01 17:51 浏览:140 关闭窗口 打印此页

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  ③碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”;

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  ①华为4月成立的哈勃科技投资有限公司,近日投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股10%;

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